Určitě to zná každý, jakákoli paměť telefonu se dříve nebo později zaplní. I když na začátku se zdá i několik desítek gigabytů jako obrovský prostor. V porovnání s dobou minulou, kdy byl člověk s 4 GB kartou v telefonu králem, je i 32 GB vnitřní paměť hodně. Ovšem praxe ukazuje, že člověk je stejně schopný zaplnit i paměť o velikosti 256 GB za velmi krátkou dobu. Navíc rozšíření pomocí karty není spásou, zvláště ne u některých telefonů. Tou zřejmě bude až obrovská interní paměť . A právě takovou převratnou novinku vyvíjejí vědci z Rice University.
Tým pracuje na nové RRAM paměti, která by měla svou kapacitou lehce předčit a nahradit ty stávající. Projekt není úplnou novinkou, několik podobných pamětí se již objevilo. Možná sice ne na stejné technologii, ale také ohromovaly svou kapacitou. Vždy však nastal zásadní problém – sériová výroba a s tím samozřejmě cena.
Po pětiletém vývoji se tak konečně objevil čip, který je možné sériově vyrábět. Základem je oxid křemíku spolu s jinými kovy, převážně zlatem a platinou. Paměť vyžaduje dokonce i méně energie a má překvapující hustotu zápisu.
Tyto RRAM paměti o velikosti poštovní známky pojmout téměř 1 TB dat. Navíc tým z Rice Universit je ochotný poskytnout licenci a spolupracovat s některým z výrobců. Zájem prý o nový koncept čipů je. Tím, že nic nebrání sériové výrobě a pokud se vědci dohodnou s výrobcem, mohli bychom se nových čipů dočkaly opravdu brzo. Tedy v porovnání s jinými projekty, které také přináší převratné novinky, ovšem jejich hromadná výroba a komerční prodej je daleko za hranicí blízké budoucnosti nebo se to přinejmenším zdá.
zdroj: phonearena
